글로벌 핵심 소재 고객 맞춤형 솔루션을 제공 합니다.
미래를 선도하는 첨단 소재 혁신, 반도체와 이차전지의 핵심 기술을 연구합니다.
글로벌 핵심소재
고객맞춤형 솔루션을 제공합니다.

Photoresist

포토레지스트(PR)는 빛에 반응하여 화학적 변화를 일으키는 감광액의 일종으로 반도체 공정 중 빛으로 웨이퍼에 회로 모양을 새기는 노광 공정의 핵심 재료입니다.
노광에 쓰이는 광원의 종류에는 빛의 파장에 따라 극자외선(EUV∙13.5nm), 불화아르곤(ArF∙193nm), 불화크립톤(KrF∙248nm)용 등으로 구분되며
파장이 짧을수록 회로 선폭을 세밀히 할 수 있습니다.

· EUV PR(13.5mm)

EUV는 짧은 파장으로 해상도가 극대화되며 적은 횟수의 패터닝으로 구현 가능하기 때문에 공정 수가 대폭 감소된다는 장점이 있습니다.
EUV PR은 화학증폭형 (CAR, 유기)와 비화학증폭형 (Non-CAR, 무기) 형태로 구분되며,
켐폴에서는 고객 맞춤형 PR 소재 연구개발을 진행하고 있습니다.

· ArF PR (193nm) & KrF PR (248nm)

DUV는 오랫동안 사용해오던 기술로써 축적된 노하우와 높은 신뢰성을 보유하고 있으며,
노광장비가 저렴하고 생산성이 높다는 것이 장점입니다.
켐폴은 고분자 수지, 광산발생제 (PAG), 베이스로 구성되어 있는 PR 소재 중 Poly(hydroxystyrene) 기반과 다양한 조성의
아크릴계 고분자 수지의 연구 제품을 고객사 용도에 적합하게 공급하고 있습니다.

 

 포토레지스트는
광 및 방사선 에너지에 노출시키면 현상액에 대한 용해도 변화가 발생하여 이미지 패턴을 형성하는 재료이며,
고분자, 감광제, 첨가제, 용제로 구성되어 있는 액상재료 입니다.

포토레지스트의 종류

· 빛에 노광 되는 영역이 녹는 Positive PR과 노광 되지 않는 영역이 녹는 Negative PR로 구분할 수 있습니다.

< 포토레지스트(PR)의 종류와 특성 >

정의

· 반도체 패터닝 공정에서 Photoresist 하부에 도입되어 후속
에칭 공정에서 에치방어막(hardmask) 역할로 도입되는 유기 탄소 코팅막 소재

유기 하드 마스크 모식도