첨단소재 기술로 반도체와 에너지의 미래를 만듭니다.
미래를 선도하는 첨단 소재 혁신, 반도체와 이차전지의 핵심 기술을 연구합니다.
첨단소재 기술로 반도체와
에너지의 미래를 만듭니다.
유기 하드마스크 도입 배경
반도체 미세화에 따른 패턴 형성을 위해서는 Photoresist 두께가 점점 감소하게 됨
유기하드마스크 정의
· 반도체 패터닝 공정에서 Photoresist 하부에 도입되어 후속
· 에칭 공정에서 에치방어막(hardmask) 역할로 도입되는 유기 탄소 코팅막 소재
High aspect ratio → “line collapse”
Low aspect ratio → “stable pattern”
PR이 얇아 지면, PR 만으로는
패턴 전사가 어려워짐
에칭 시 무기 ACL 막질 사용
· 설비/공정 제조 비용이 넘 많이 소요
· 공정시간이 넘 길며, 파티클 문제 발생
· 후막 ACL 대체 소재 필요!!
Organic Hardmask 필요!!
정의
· 반도체 패터닝 공정에서 Photoresist 하부에 도입되어 후속
에칭 공정에서 에치방어막(hardmask) 역할로 도입되는 유기 탄소 코팅막 소재
유기 하드 마스크 모식도
Chempole SOC Development Items
High Etch SOH :
Thickness 1,000~2,000Å
High carbon contents (Carbon content > 91%)
High film density
Low out-gassing properties (No embossing)
Good coating uniformity
High Thickness SOH :
Thickness 5,000~10,000Å
Good soluble polymer (No clogging)
High etch resistance
Good coating uniformity (No crack)
High Temp. SOH :
Thickness 1,000~3,000Å
Good thermal stability (weight loss < 10% @500℃)
High etch resistance
Good coating uniformity (No crack)